SI2369DS-T1-GE3

时间:2022-10-19 16:37:00

表面贴装型 P 通道 30 V 7.6A(Tc) 1.25W(Ta),2.5W(Tc) SOT-23-3(TO-236)

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商

Vishay Siliconix

系列

TrenchFET?

包装

卷带(TR)

剪切带(CT)

产品状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.6A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

29 毫欧 @ 5.4A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

36 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1295 pF @ 15 V

FET 功能

功率耗散(最大值)

1.25W(Ta),2.5W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

基本产品编号

SI2369

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

2025-8-16 20:22:00
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