类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商：Infineon Technologies
系列：OptiMOS?
包装;_卷带（TR）剪切带（CT）
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 13 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 13 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 970 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 2.1W（Ta），25W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TSDSON-8
封装/外壳: 8-PowerTDFN
基本产品编号: BSZ130
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，
主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、
UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。
