型号：DMP3056LSD-13
MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道（双） 30V 6.9A 2.5W 表面贴装型 8-SO
类别：分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商：Diodes Incorporated
包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态：在售
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：6.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：45 毫欧 @ 6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：13.7nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：722pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO
基本产品编号：DMP3056
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，
主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、
UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。
