时间：2019-6-12 8:59:00
制造商: Nexperia
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSSOP-6
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 170 mA
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V
Qg-栅极电荷: 330 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.06 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Nexperia
正向跨导 - 最小值: 230 mS
下降时间: 14 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 7 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
单位重量: 7.500 mg
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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60 V, dual N-channel Trench MOSFET | NEXPERIANexperia B.V. 安世安世半导体(中国)有限公司 |   | ||
60 V, dual N-channel Trench MOSFET | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | | ||
60 V, single N-channel Trench MOSFET | nxpNXP Semiconductors 恩智浦 | | ||
60 V, single N-channel Trench MOSFET | NEXPERIANexperia B.V. 安世安世半导体(中国)有限公司 | | ||
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | ||
60 V, N-channel Trench MOSFET | NEXPERIANexperia B.V. 安世安世半导体(中国)有限公司 | | ||
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60 V, dual N-channel Trench MOSFET | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | | ||
60 V, single N-channel Trench MOSFET | NEXPERIANexperia B.V. 安世安世半导体(中国)有限公司 | |
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