不同的缓冲电路配置
??有多种方法可以在功率器件中建立缓冲电路。图1是四种常见的配置。
??图1. 四种最常见的缓冲电路配置图--（a）C型缓冲电路，（b）RC型缓冲电路，（c）放电RCD型缓冲电路，（d）非放电RCD型缓冲电路。
??图（a）所示的C型缓冲电路的设计比较简单，没有电阻，最适用于二合一模块，不适用带有分立元件的电路。图（b）所示的RC型缓冲电路中增加了电阻，在每个开关瞬态期间，储存在CSNB中的能量经由RSNB来耗散。在缓冲电路中加入电阻可减少电容器的放电电流从而保护电路免受更大的di/dt影响。
??对于更高功率的应用，可进一步添加二极管来创建如图（c）、图（d）所示的RCD型缓冲电路，其中二极管用于在晶体管开启时阻断网络中的电流。RCD型缓冲电路又可分为两种——放电式和非放电式。对于放电式RCD型缓冲电路，浪涌电流流经二极管，使CSNB吸收比RC吸收更有效。非放电式RCD型缓冲电路只消耗浪涌电压的能量，这意味着RSNB的能耗在高开关频率下不会增加很多。
??为缓冲电路选择合适的电容器时需要考虑的因素
??无论是基于SiC、Si还是GaN技术设计的缓冲电路，都需要用到吸收电容器（如图1所示）。然而，由于SiC的特性与Si或GaN非常不同，并且经常需要用于高电压和大电流下的应用，因此了解如何选择最适用的电容器至关重要。
??用于SiC电路的吸收电容器通常具有较小的电容值，并且需要靠近开关以减少寄生电感。选型时需要考虑的规格参数包括：封装尺寸和类型、电介质、电极类型、电压和容值范围以及电流能力。由于SiC部件也容易发热，因此吸收电容器还需要具有耐热性。
