CSD17556Q5B

时间:2022-6-8 9:02:00

CSD17556Q5B

封装 Tape & Reel (TR)

安装类型 Surface Mount

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 34A (Ta), 100A (Tc)

的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.65V @ 250μA

漏极至源极电压(Vdss) 30V

标准包装 2,500

供应商设备封装 8-VSON (5x6)

开态Rds(最大)@ Id ,V GS 1.4 mOhm @ 40A, 10V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大 3.1W

封装/外壳 8-TDFN Exposed Pad

输入电容(Ciss ) @ VDS 7020pF @ 15V

闸电荷(Qg ) @ VGS 39nC @ 4.5V

其他名称 296-35726-1

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

安装风格 SMD/SMT

配置 Dual Dual Drain

晶体管极性 N-Channel

最低工作温度 - 55 C

源极击穿电压 20 V

连续漏极电流 100 A

系列 CSD17556Q5B

RDS(ON) 1.5 mOhms

功率耗散 3.1 W

商品名 NexFET

正向跨导 - 闵 197 S

栅极电荷Qg 30 nC

典型关闭延迟时间 27 ns

上升时间 26 ns

最高工作温度 + 150 C

漏源击穿电压 30 V

RoHS RoHS Compliant

下降时间 12 ns

电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 34A (Ta), 100A (Tc)

Status ACTIVE

Temp (oC) -55 to 150

Package | Pins VSON-CLIP (DNK) | 8

Device Marking View

Package QTY | Carrier 2500 | LARGE T&R

QGD Typ 6.9

ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC 34

VDS 30

New Flag

Functional Diagram fbd_slps392b.gif

VGS 20

ID, Package limited 100

VGSTH Typ 1.4

Rds(on) Max at VGS=45V 1.8

Reference Design

Rds(on) Max at VGS=10V 1.4

Logic Level Yes

包装 SON5x6

Datasheet SLPS392B

RDS(on) Typ at VGS=45V 1.5

IDM, Max Pulsed Drain Current 400

Rating Catalog

TI Design

ID, Silicon limited at Tc=25degC 215

QG Typ 28.5

RDS(on) Typ at VGS=25V

安装类型 表面贴装

晶体管材料 Si

类别 功率 MOSFET

长度 6.1mm

典型输入电容值@Vds 5400 pF @ 15 V

通道模式 增强

高度 1.05mm

每片芯片元件数目 1

最大漏源电阻值 1.8 mΩ

最大栅阈值电压 1.65V

Board Level Components Y

最高工作温度 +150 °C

通道类型 N

最低工作温度 -55 °C

最大功率耗散 3.1 W

最大栅源电压 ±20 V

宽度 5.1mm

尺寸 6.1 x 5.1 x 1.05mm

最小栅阈值电压 1.15V

最大漏源电压 30 V

典型接通延迟时间 14 ns

典型关断延迟时间 27 ns

封装类型 VSON

最大连续漏极电流 215 A

引脚数目 8

晶体管配置 单

典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V

工厂包装数量 2500

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

30V N-Channel NexFET Power MOSFETs

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

30 V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

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30 V N-Channel NexFET Power MOSFET

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2025-8-13 15:24:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
2021+
QFN
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TI/德州仪器
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