封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 34A (Ta), 100A (Tc)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.65V @ 250μA
漏极至源极电压（Vdss） 30V
标准包装 2,500
供应商设备封装 8-VSON (5x6)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 1.4 mOhm @ 40A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.1W
封装/外壳 8-TDFN Exposed Pad
输入电容（Ciss ） @ VDS 7020pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 39nC @ 4.5V
其他名称 296-35726-1
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
安装风格 SMD/SMT
配置 Dual Dual Drain
晶体管极性 N-Channel
最低工作温度 - 55 C
源极击穿电压 20 V
连续漏极电流 100 A
系列 CSD17556Q5B
RDS（ON） 1.5 mOhms
功率耗散 3.1 W
商品名 NexFET
正向跨导 - 闵 197 S
栅极电荷Qg 30 nC
典型关闭延迟时间 27 ns
上升时间 26 ns
最高工作温度 + 150 C
漏源击穿电压 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 12 ns
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 34A (Ta), 100A (Tc)
Status ACTIVE
Temp (oC) -55 to 150
Package | Pins VSON-CLIP (DNK) | 8
Device Marking View
Package QTY | Carrier 2500 | LARGE T&R
QGD Typ 6.9
ID, Continuous Drain Current at Ta=25degC 34
VDS 30
New Flag
Functional Diagram fbd_slps392b.gif
VGS 20
ID, Package limited 100
VGSTH Typ 1.4
Rds(on) Max at VGS=45V 1.8
Reference Design
Rds(on) Max at VGS=10V 1.4
Logic Level Yes
包装 SON5x6
Datasheet SLPS392B
RDS(on) Typ at VGS=45V 1.5
IDM, Max Pulsed Drain Current 400
Rating Catalog
TI Design
ID, Silicon limited at Tc=25degC 215
QG Typ 28.5
RDS(on) Typ at VGS=25V
安装类型 表面贴装
晶体管材料 Si
类别 功率 MOSFET
长度 6.1mm
典型输入电容值@Vds 5400 pF @ 15 V
通道模式 增强
高度 1.05mm
每片芯片元件数目 1
最大漏源电阻值 1.8 mΩ
最大栅阈值电压 1.65V
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
通道类型 N
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 3.1 W
最大栅源电压 ±20 V
宽度 5.1mm
尺寸 6.1 x 5.1 x 1.05mm
最小栅阈值电压 1.15V
最大漏源电压 30 V
典型接通延迟时间 14 ns
典型关断延迟时间 27 ns
封装类型 VSON
最大连续漏极电流 215 A
引脚数目 8
晶体管配置 单
典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V
工厂包装数量 2500
