IPB120P04P4-04

时间:2022-5-10 12:40:00

IPB120P04P4-04

产品属性

类型

描述

选择

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?

包装

卷带(TR)

剪切带(CT)

Digi-Reel? 得捷定制卷带

零件状态

不适用于新设计

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

120A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

3.5 毫欧 @ 100A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V @ 340μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

205 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

14790 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

136W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3

封装/外壳

TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

基本产品编号

IPB120

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

OptiMOS-P2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

P-channel - Normal Level - Enhancement mode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

P-channel - Normal Level - Enhancement mode

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

OptiMOS-P2 Power-Transistor

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英飞凌英飞凌科技股份公司

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

OptiMOS-P2 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

2025-8-11 17:55:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO263-3
12700
买原装认准中赛美
INFINEON
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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原装正品现货库存价优
Infineon/英飞凌
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