型号：SI2338DS-T1-GE3
制造商：VISHAY
封装：SOT-23
批号：21+
数量：30000
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产品属性
类型描述选择?
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Vishay Siliconix
系列 TrenchFET?
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 28 毫欧 @ 5.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 13 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 424 pF @ 15 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.3W（Ta），2.5W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号 SI2338
PESD15VL1BA
PTVS15VZ1USK
PMST4401
BZX585-B3V6
PESD5V0S1BL
BSR43
PMK35EP
BZX84-C3V3/DG/B4
PESD15VS1UL
PMBT3906
74HC138BQ
PBSS4140U
PBSS5250X
BZX84-C4V7/DG/B4
PMLL4448
74LVC1G125GW
PESD5V0X1UALD
BAV23C
BC847BM
PESD2CAN
PBSS4250X
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