深圳毅创辉电子供应 SIR664DP-T1-GE3

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2021-8-23 10:40:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

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制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V

Qg-栅极电荷: 26 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET, PowerPAK

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

系列: SIR

晶体管类型: 1 N-Channel

商标: Vishay Semiconductors

正向跨导 - 最小值: 70 S

下降时间: 7 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 12 ns

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 24 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

单位重量: 506.600 mg

2025-8-2 18:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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