NCE6020AK_NCEP080N85K导读
作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。
今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。
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NCE6020AL
在不见天日的17个月里，Zandman的叔叔教他代数、三角、几何和物理。可以说，在那段较黑暗的日子里Zandman学习掌握的知识为他开创Vishay奠定了基础。战后，Zandman移民到法国，获得机械工程、应用机械和普通物理的学位，在巴黎的Sorbonne大学获得机械物理的博士学位。Zandman于1928年生于波兰，在二战纳粹大屠杀期间，Zandman外婆曾经救助过的老管家收留了Zandman，他和其他四个人在管家家的地板下躲藏了17个月，才得以逃过了大屠杀。1956年，Zandman移居到美国，并在1962年创办了Vishay。。
NCE30H11K NCE3402B NCE30H10AK NCE2304 NCE3404 。
NCE2025I NCE2025S NCE2030K NCE2030U NCE2030 。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
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NCEP015N30GU
NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。
NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。
。MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。
MOSFET的特性能够用搬运特性曲线和漏极输出特性曲线来表征。 。图3是某种场效应管的搬运特性。搬运特性是指在漏源之间的电压UDS在某一固定值时，栅极电压UGS与相对应的漏极电流ID之间的关系曲线。
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。MOS管NCE3401是一款-30V漏源电压，4.2A电流，SOT-23封装的P沟道MOS管。
NCE20ND06 NCE2008N NCE2312 NCE2312A NCE8205A 。
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