TPS71530DCKR

时间:2021-7-22 18:30:00

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TPS71530DCKR 超小型管_LMZ21701SILR 电源IC导读

Pahl表示,每年在这两个150mm晶圆厂生产约15亿美元的产品,很大一部分将转移到300mm晶圆厂,从而提高生产率和经济效益。

2019年4月,德州仪器发布了这座300mm晶圆厂的兴建计划,预计投资31 亿美元。不过,鉴于2019年低迷的半导体市场,以及不甚理想的营收状况,TI在Richardson 投资建设300mm晶圆厂计划并不如当初预想的那样顺利,可能要推迟两年才能完成。

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TPS62163DSGR 电源IC

TI负责连接微控制器的副总裁Ray Upton解释说,新技术对于“以稳定的方式移动大量数据”至关重要,从而改善了高性能通信。 。

TPS61230ARNSR TPS613221ADBVR TPS613221ADBVT LM321LVIDBVR TPS562201DDCR 。

SN74HCS74QPWRQ1 BQ27200EVM TPD8F003DQDR LMC6082AIN/NOPB 。

在业内,TI首次将这项技术用于集成时钟功能。?过去,BAW谐振器技术常被用于过滤诸如智能电话之类的通信技术中的信号。为了深入了解TI 这次在BAW技术上的新突破,我们要从BAW滤波器的原理说起:。

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GRM21BC80G476ME15L

UCC28063DR LM536003QDSXRQ1 UCC2892DR MSP430FR2111IPW16R UCC21520QDWRQ1 。

TPS560430XFDBVR XTR117AIDGKR CSD15380F3T MSP-EXP432P401R TPS2051BDBVR 。

IDC连接和智能手机半导体研究总监Philip Solis说,“新的BAW谐振器技术非常重要,因为TI正在将其集成到其硅芯片产品中,从而缩短设计时间,解决方案尺寸和元件成本。”。

而震荡结构的另一面,压电材料的声波阻抗和其他衬底(比如Si)的差别不大,所以不能把压电层直接deposit(沉积)在Si衬底上。声波在固体里传播速度为~5000m/s,也就是说固体的声波阻抗大约为空气的105倍,所以99.995%的声波能量会在固体和空气边界处反射回来,跟原来的波(incident wave)一起形成驻波。。为了把声波留在压电薄膜里震荡,震荡结构和外部环境之间必须有足够的隔离才能得到小loss和大Q值。

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不过薄膜结构需要足够坚固以至于在后续工艺中不受影响。相比BAW-SMR,membrane type 较少一部分跟底下substrate接触,不好散热。

??因为只是边缘部分跟底下substrate接触,这种结构在受到压力时相对脆弱,而且跟membrane type类似,散热问题同样需要关注。Airgap type在制作压电层之前沉积一个辅助层(sacrificial support layer),最后再把辅助层去掉,在震荡结构下方形成air gap。

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