数据列表 IPB020N10N5LFATMA1;_
标准包装 1，000
包装 标准卷带
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
系列 OptiMOS?-5
其它名称 IPB020N10N5LFATMA1-ND
IPB020N10N5LFATMA1TR
SP001503854
规格
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 4.1V @ 270μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 195nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 840pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 313W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PG-TO263-3
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
