mos管STP3NK80Z大量现货库存

时间:2020-8-11 11:45:00

mos管STP3NK80Z大量现货库存

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制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 800 V

Id-连续漏极电流: 2.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.5 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 19 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 70 W

通道模式: Enhancement

商标名: SuperMESH

配置: Single

高度: 9.15 mm

长度: 10.4 mm

系列: STP3NK80Z

晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET

类型: MOSFET

宽度: 4.6 mm

商标: STMicroelectronics

下降时间: 40 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 27 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 36 ns

典型接通延迟时间: 17 ns

单位重量: 2 g

产品广泛应用于工业自动化,医疗设备,电机控制,机器人技术,电源系统,仪器仪表,智能家居,电网自动化,通信,汽车电子等。

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