MOS管STF24N60M2大量现货库存

时间:2020-8-11 11:51:00

MOS管STF24N60M2大量现货库存

MOS管STF24N60M2 ST 代理原装正品,大量现货库存,长期供应。欢迎来电咨询:18922814782雷小姐。

制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 18 A

Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 29 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 30 W

通道模式: Enhancement

商标名: MDmesh

封装: Tube

配置: Single

系列: STF24N60M2

晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET

商标: STMicroelectronics

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 9 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 60 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

单位重量: 330 mg

VIPER22ASTR-E ST SO-8

LM317T-DG ST TO-220

STM8S003F3P6TR ST TSSOP-20

STP10NK60ZFP ST TO-220FP

STPS20H100CFP ST TO-220FP

STCC2540IQTR ST VFQFPN-16

STP26NM60N ST TO220

STP15810 ST TO-220

L6599DTR ST SOP-16

STP65NF06 ST TO-220-3

UC3842BD1013TR ST SO-8

UC3845BD1013TR ST SO-8

L6562ADTR ST SOP-8

UC3842BN ST DIP-8

L7815CV-DG ST TO-220

T435-600B-TR ST D-PAK (TO-252)

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N-channel 600 V, 0.168 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in TO-220FP and I2PAKFP packages

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N-Channel 650-V (D-S) Super Junction MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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N-channel 600 V, 0.168 ??typ., 18 A MDmesh??M2 Power MOSFET in a TO-220FP wide creepage package

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N-channel 600 V, 0.186 typ., 18 A MDmesh II Plus low Qg Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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N-channel 600 V, 0.168 廓 typ., 18 A MDmesh II Plus??low Qg Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220 and TO-247 packages

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2025-8-12 20:57:00
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