代理BSS123进口原装现货

时间：2020-7-17 9:39:00

品牌：ON 生产批号:2020+ 封装:SOT23-3

数据列表 BSS123;_

标准包装 3，000

包装标准卷带

零件状态有源

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单个

系列 -

其它名称 BSS123-TPMSTR

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 170mA

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 6 欧姆 @ 170mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.8V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 2nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 60pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 350mW

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23

封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

型号查询	功能描述	生产厂家&企业	LOGO
BSS123	N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BSS123	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BSS123	SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BSS123	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS123	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS123	SIPMOS Small-Signal-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSS123	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BSS123-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS123-7	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
BSS123LT1	TMOS FET Transistor(N-Channel)	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola

现货更多...

2025-8-12 9:42:00