代理BSS123进口原装现货

时间:2020-7-17 9:39:00

品牌:ON 生产批号:2020+ 封装:SOT23-3

数据列表 BSS123;_

标准包装 3,000

包装 标准卷带

零件状态 有源

类别 分立半导体产品

产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

系列 -

其它名称 BSS123-TPMSTR

规格

FET 类型 N 通道

技术 MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss) 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 170mA

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 欧姆 @ 170mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 2nC @ 10V

Vgs(最大值) ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 60pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散(最大值) 350mW

工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型 表面贴装型

供应商器件封装 SOT-23

封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET

Zetex

Zetex Semiconductors

SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Enhancement mode Logic Level)

SIEMENSSiemens Semiconductor Group

西门子西门子股份公司

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

SIPMOS Small-Signal-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

TMOS FET Transistor(N-Channel)

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉加尔文制造公司

2025-9-26 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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NA/
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原装正品现货
FAIRCHILD/仙童
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