P沟道MOS管 NTR4171PT1G 30V SOT-23-3 (TO-236) 百分百进口原装现货特价供应
NTR4171PT1G产品详细规格
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3，000
FET 型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS） 30V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C 2.2A
Rds（最大）@ ID，VGS 75 mOhm @ 2.2A， 10V
VGS（TH）（最大）@ Id 1.4V @ 250μA
栅极电荷（Qg）@ VGS 15.6nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的 720pF @ 15V
功率 - 最大 480mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3 (TO-236)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 3SOT-23
渠道类型 P
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 3.5 A
RDS -于 75@10V mOhm
最大门源电压 ±12 V
典型导通延迟时间 9 ns
典型上升时间 16 ns
典型关闭延迟时间 25 ns
典型下降时间 22 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
封装 Tape and_Reel
最大漏源电阻 75@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SOT-23
最大功率耗散 1250
最大连续漏极电流 3.5
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 2.2A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id 1.4V @ 250μA
供应商设备封装 SOT-23-3 (TO-236)
开态Rds（最大）@ Id ，V GS 75 mOhm @ 2.2A， 10V
FET型 MOSFET P-Channel， Metal Oxide
功率 - 最大 480mW
漏极至源极电压（Vdss） 30V
输入电容（Ciss ） @ VDS 720pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS 15.6nC @ 10V
封装/外壳 TO-236-3， SC-59， SOT-23-3
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 NTR4171PT1GOSCT
类别 Power MOSFET
配置 Single
外形尺寸 3.04 x 1.4 x 1.01mm
身高 1.01mm
长度 3.04mm
最大漏源电阻 150 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 1.25 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SOT-23
典型栅极电荷@ VGS 15.6 nC @ -10 V
典型输入电容@ VDS 720 pF @ -15
宽度 1.4mm
工厂包装数量 3000
产品种类 MOSFET
晶体管极性 P-Channel
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 - 3.5 A
正向跨导 - 闵 7 S
安装风格 SMD/SMT
RDS（ON） 90 mOhms
功率耗散 1.25 W
封装/外壳 TO-236
上升时间 16 ns
漏源击穿电压 - 30 V
RoHS RoHS Compliant
下降时间 22 ns
漏极电流（最大值） 3.5 A
频率（最大） Not Required MHz
栅源电压（最大值） ?12 V
输出功率（最大） Not Required W
噪声系数 Not Required dB
漏源导通电阻 0.075 ohm
工作温度范围 -55C to 150C
极性 P
类型 Power MOSFET
元件数 1
工作温度分类 Military
漏极效率 Not Required %_
漏源导通电压 30 V
功率增益 Not Required dB
弧度硬化 No
Continuous Drain Current Id :-3.5A
Drain Source Voltage Vds :-30V
On Resistance Rds(on) :0.05ohm
Rds(on) Test Voltage Vgs :-10V
Threshold Voltage Vgs :-1.15V
功耗 :1.25W
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :150°C
Transistor Case Style :SOT-23
No. of Pins :3
MSL :MSL 1 - Unlimited
SVHC :No SVHC (16-Dec-2013)
Weight (kg) 0.000033
Tariff No. 85412900
associated RE906
80-4-5
4月13日， 紫光集团旗下长江存储重磅宣布，成功研发两款128层产品，分别是128层QLC 3D NAND闪存(型号：X2-6070)、128层512Gb TLC(3bit/cell)规格闪存芯片。前者已在包括群联和联芸等多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证，两款产品可满足不同应用场景的需求。
早在去年9月，长江存储便已开始量产基于Xtacking架构的中国首款64层3D NAND闪存。得益于Xtacking架构对3D NAND控制电路和存储单元的优化，其64层TLC产品在存储密度、I/O性能以及可靠性等领域都有不俗表现，上市之后广受业界肯定。
而在128层系列产品中，Xtacking已全面升级至2.0。由于外围电路和存储单元分别采用独立的制造工艺，CMOS电路可选用更先进的制程。另外，在芯片面积没有增加的前提下，Xtacking2.0还为3D NAND带来了更佳的扩展性，进一步释放3D NAND闪存的潜能。QLC 产品较看重“读性能”，同时“写性能”也不能落下，因此在布局上就增加了阵列读写的运行，可以有比较好的连续读写速度作为基础，通过进一步的优化，这颗 128 层 QLC 的产品，在三个维度上做到了业界第一，包括面积最高密度、单颗最高容量达到1.33Tb，以及业界最快速度 1.6Gb/s的 I/O 。
与传统HDD相比，QLC SSD更具性能优势。在消费类领域，QLC将率先在大容量U盘，闪存卡和SSD中普及。在企业级领域，QLC SSD将为服务器和数据中心带来更低的读延迟，使其更适用于AI计算、机器学习，实时分析和大数据中的读取密集型应用。
NAND Flash作为对供需平衡敏感、成本竞争极为激烈的强周期性产业，在过去一年，各大原厂产能主力已由64/72层NAND Flash切换至92/96层堆叠NAND Flash。据了解，2019年全球bit出货量达到3090亿GB，较2018年实现35%的增长。
据悉，长江存储一期生产线月产能为10万片，今年以来产能一直在爬坡。至于量产时间，配合上述产能，128层NAND闪存将于今年年底到明年上半年陆续量产。
香港鑫锐保证原装进口现货
鑫锐电子（香港）有限公司，18年元器件专业分销商(授权与非授权品牌)，一站式终端厂家配套：(质量保证诚信经营)是公司的承诺，为客户提供品牌原装半导体，电子元器件终端配套市场，专注ESD/TVS静电保护二极管、LDO低功耗稳压管、MOS管、电池充电和管理电源、LED、光电耦合器、电阻电容、PCB解决方案领域（无线蓝牙解决方案、蓝牙运动版解决方案一站式、音箱、无线移动电源）。
主营产品:ESD静电二极管、TVS二极管、电池充电和管理电源、MOS管、LDO低功耗稳压管。
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在北美电视市场中，TCL销量首次超越三星电子，拿下市占率第一名。
韩媒《etnews》指出，由于三星电子、LG、索尼等电视品牌放弃低端市场，TCL因而受益。
据市调公司IHS Markit的统计结果，TCL今年第1季北美电视出货量比去年同期成长112%，拿下市占率第一名，在北美市场的出货量高达930万台，市占率从去年16%大幅成长至26.2%，创下北美出货量最高纪录。三星电子同期表现下滑，北美市占率从去年的28%下滑至21.8%，排行第二。
随着三星电子、LG、索尼相继退出收益性较低的中低端市场，TLC趁机以中低端策略拓展市场，在销量方面取得成果。电视业界相关人士解释，主流电视品牌对40英寸以下的电视进行结构调整，使中国企业能迅速蚕食这些电视市场。
虽然三星电子在销量方面市占率仅拿下第2名，但以销售额为基准，三星电子在北美市占率高达36.9%，和第2名相差2倍以上，稳坐冠军。
在中美贸易纠纷加深的背景下，TCL拿下市占率第一宝座引发外界关注。IHS Markit相关人士表示，中美贸易纠纷加深的情况下，在中国有制造场的TCL等企业的市占率大幅成长，但不确定因素增加的情况下，考虑电视利润较其他家电要低，关税就更容易影响获利。
