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DESCRIPTION
The NE334S01 is a Hetero-Junction FET that uses the junction between Si-doped AlGaAs and undoped InGaAs to create very high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for TVRO and other commercial systems.
FEATURES
• VERY LOW NOISE FIGURE:
0.25 dB TYP at 4 GHz
• HIGH ASSOCIATED GAIN:
16.0 dB TYP at 4 GHz
• GATE WIDTH: 280 µm
• TAPE & REEL PACKAGING OPTION AVAILABLE
• LOW COST PLASTIC PACKAGE
NE334S01-T1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE334S01-T1
- 功能描述
射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
更新时间：2025-10-18 15:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NEC |
24+ |
SMT86 |
8950 |
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NEC |
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NEC |
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SMT86 |
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NEC |
6000 |
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NEC |
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