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DESCRIPTION
The NE325S01 is a Hetero Junction FET that utilizes the hetero junction to create high mobility electrons. Its excellent low noise and high associated gain make it suitable for DBS and another commercial systems.
FEATURES
• Super Low Noise Figure & High Associated Gain
NF = 0.45 dB TYP., Ga = 12.5 dB TYP. at f = 12 GHz
• Gate Length: Lg ≤ 0.20 µm
• Gate Width : Wg = 200 µm
NE325S01-T1B产品属性
- 类型
描述
- 型号
NE325S01-T1B
- 功能描述
射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET
- RoHS
否
- 制造商
TriQuint Semiconductor
- 技术类型
pHEMT
- 频率
500 MHz to 3 GHz
- 增益
10 dB
- 噪声系数
正向跨导
- gFS（最大值/最小值）
4 S 漏源电压
- 闸/源击穿电压
- 8 V
- 漏极连续电流
3 A
- 最大工作温度
+ 150 C
- 功率耗散
10 W
更新时间：2025-10-12 14:26:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
SMT |
25000 |
一级专营品牌全新原装热卖 |
|||
NEC |
2022+ |
4000 |
全新原装 货期两周 |
||||
NEC |
03+ |
SMT86 |
522 |
现货 |
|||
NEC |
2447 |
cross |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
NEC |
1923+ |
原厂封装 |
12008 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
NEC |
23+ |
SOT86 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NEC |
21+ |
cross |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
NEC |
22+ |
SMD |
489 |
只做原装正品 |
|||
NEC |
04+ |
SO86 |
8175 |
||||
NEC |
24+ |
NA/ |
1000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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