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NCE4614C中文资料

厂家型号

NCE4614C

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功能描述

N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

数据手册

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生产厂商

NCEPOWER

NCE4614C数据手册规格书PDF详情

Description

The NCE4614C uses advanced trench technology to provide

excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary

MOSFETs may be used to form a level shifted high side

switch, and for a host of other applications.

General Features

● N-Channel

VDS =40V,ID =6A

RDS(ON) = 33mΩ @ VGS=10V(Typ)

RDS(ON) = 48mΩ @ VGS=4.5V(Typ)

● P-Channel

VDS =-40V,ID = -4A

RDS(ON) = 69mΩ @ VGS=-10V(Typ)

RDS(ON) = 100mΩ @ VGS=-4.5V(Typ)

● High power and current handing capability

● Lead free product is acquired

● Surface mount package

更新时间:2025-11-2 11:00:00
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