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NVMFWS004N10MCT1G

MOSFET – Power, Single N-Channel 100 V, 3.9 m, 138 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-11-19 11:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI/安森美
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DFN55x6
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