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NVMFWS002N10MCLT1G

MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 2.8 m, 177 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • AECïQ101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are PbïFree, Halogen Free/BFR Free, Beryllium Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 2.8 m, 175 A

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-11-16 20:00:00
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