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NVMFS6H848NLT1G

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 8.8 m, 59 A

Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • NVMFS6H848NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and

ONSEMI

安森美半导体

MOSFET - Power, Single N-Channel 80 V, 8.8 m, 59 A

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ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-12-16 23:01:00
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