型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NTTFSC4821NTAG

封装/外壳:8-PowerWDFN 包装:管件管件 描述:MOSFET 30V 57A 8WDFN 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

ONSEMI

安森美半导体

NTTFSC4821NTAG

MOSFET 30V 57A NFETU8FL

ONSEMI

安森美半导体

NYLON M/F HEX STANDOFF

[KEYSTONE] MALE/FEMALE THREADED STANDOFFS PC 104 MOUNTING KITS NYLON STANDOFFS

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Dual P-Channel 20V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Advanced High Cell Density Process • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Load Switching

VBSEMI

微碧半导体

Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description The AO4821 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. It is ESD protected. Standard Product AO4821 is Pb-free (meets ROH

AOSMD

万国半导体

Dual P-Channel MOSFET

■ Features ● VDS (V) = -12V ● ID = -9 A (VGS = -4.5V) ● RDS(ON)

KEXIN

科信电子

12V Dual P-Channel MOSFET

文件:266.83 Kbytes Page:5 Pages

AOSMD

万国半导体

NTTFSC4821NTAG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTTFSC4821NTAG

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 NFETU8FL 30V 57A 10.8M Ohm

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-23 14:37:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
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WDFN8
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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国产
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
ON/安森美
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电子元器件供应原装现货. 优质独立分销。原厂核心渠道
ON/CCSSEMI
24+
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全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈
ONSEMI
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N/A
7500
原装现货17377264928微信同号

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