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NTHS4101PT1G价格
参考价格：￥1.1558
型号：NTHS4101PT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有NTHS4101PT1G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NTHS4101PT1G批发/采购报价，NTHS4101PT1G行情走势销售排行榜，NTHS4101PT1G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NTHS4101PT1G | Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFET-TM 文件：63.69 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NTHS4101PT1G | Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFET 文件：59.42 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NTHS4101PT1G | Power MOSFET 文件：132.19 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Power MOSFET 文件：132.19 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFET 文件：59.42 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
Power MOSFET -20 V, 6.7 A, P-Channel ChipFET-TM 文件：63.69 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NTHS4101PT1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTHS4101PT1G
- 功能描述
MOSFET -20V -6.7A P-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-8-8 11:20:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
SMD-8 |
8484 |
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价 |
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NTHS4101PT1G规格书下载地址
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