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1Gb DDR2 SDRAM

Feature  VDD=VDDQ=1.8V ± 0.1V Voltage JEDEC standard 1.8V I/O (SSTL_18 compatible)  8 internal memory banks  Programmable CAS Latency: 3, 4, 5 (-3C/3CI, -AC/ACI/ACL, -BE, -BD); 6 (-AC/ACI/ACL, -BE, -BD); 7 (-BE, -BD)  Programmable Additive Latency: 0, 1, 2, 3, 4 5  Write Latency = Re

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Commercial, Industrial and Automotive DDR2 1Gb SDRAM

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NT5TU64M16G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NT5TU64M16G

  • 制造商

    Nanya Technology Corporation

  • 功能描述

    DRAM

更新时间:2025-12-30 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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