位置:首页 > IC中文资料 > NT5DS64M8DS-6T

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作

512Mb DDR SDRAM

Feature z Power Supply Voltage: VDD=VDDQ=2.5V±0.2V (DDR-333) VDD=VDDQ=2.6V±0.1V (DDR-400/500) z 4 internal memory banks for concurrent operation. z CAS Latency: 2, 2.5 and 3 z Double Data Rate Architecture z Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted and received with data, to be used

NANYA

南亚科

512Mb DDR SDRAM

Feature z Power Supply Voltage: VDD=VDDQ=2.5V±0.2V (DDR-333) VDD=VDDQ=2.6V±0.1V (DDR-400/500) z 4 internal memory banks for concurrent operation. z CAS Latency: 2, 2.5 and 3 z Double Data Rate Architecture z Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted and received with data, to be used

NANYA

南亚科

更新时间:2026-3-18 18:26:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NANYA
08+
TSOP64
203
全新原装进口自己库存优势
NANYA/南亚
24+
TSOP
8540
只做原装正品现货或订货假一赔十!
NANYA/南亚
22+
TSOP66
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
-
23+
TSOP67
14995
一级代理原厂VIP渠道,专注军工、汽车、医疗、工业、
NANYA
25+
TSOP
4500
原装正品!公司现货!欢迎来电!
Nanya南亚
1828+
TSSOP
1123
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
NANYA
18+
TSOP
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
NANYA
25+
TSOP-66
15000
全新原装现货,价格优势
NANYA
20+
TSOP
2960
诚信交易大量库存现货
NANYA/南亚
23+
TSOP
50000
全新原装正品现货,支持订货

NT5DS64M8DS-6T数据表相关新闻