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NT5DS64M8DS-6KI

512Mb DDR SDRAM

Feature z Power Supply Voltage: VDD=VDDQ=2.5V±0.2V (DDR-333) VDD=VDDQ=2.6V±0.1V (DDR-400/500) z 4 internal memory banks for concurrent operation. z CAS Latency: 2, 2.5 and 3 z Double Data Rate Architecture z Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted and received with data, to be used

Nanya

南亚科

512Mb DDR SDRAM

Feature z Power Supply Voltage: VDD=VDDQ=2.5V±0.2V (DDR-333) VDD=VDDQ=2.6V±0.1V (DDR-400/500) z 4 internal memory banks for concurrent operation. z CAS Latency: 2, 2.5 and 3 z Double Data Rate Architecture z Bidirectional data strobe (DQS) is transmitted and received with data, to be used

Nanya

南亚科

更新时间:2026-1-1 15:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NANYA/南亚
25+
TSSOP
860000
明嘉莱只做原装正品现货
NANYA
24+
TSOP
40
NANYA
24+
TSOP66
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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TSOP
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
NANYA/南亚
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TSOP66
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
Nanya(南亚)
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封装
500000
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞
NANYA
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FBGA
20000
公司只做原装 品质保障
NANYA/南亚
24+
TSOP-66
21574
郑重承诺只做原装进口现货
NANYA
25+
TO-220
86720
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔
NANYA
20+
TSOP
2960
诚信交易大量库存现货

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