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NSVBAS19LT1G

High Voltage Switching Diode

Features • NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

NSVBAS19LT1G

High Voltage Switching Diode

Features • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant • S and NSV Prefixes for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

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安森美半导体

NSVBAS19LT1G

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 包装:剪切带(CT)带盒(TB) 描述:DIODE GP 120V 200MA SOT23-3 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单

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High Voltage Switching Diode

High Voltage Switching Diode Device Marking: • BAS19LT1 = JP • BAS20LT1 = JR • BAS21LT1 = JS • BAS21DW5T1 = JS Features • Pb−Free Packages are Available

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Plastic-Encapsulated Diodes

SWITCHING DIODE FEATURES Power dissipation PD: 225 mW (Tamb=25℃) Forward Current IF: 200 m A Reverse Voltage VR: 120 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

TEL

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High Voltage Switching Diode

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更新时间:2025-11-5 16:13:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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ON/安森美
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SOT-23
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ON(安森美)
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标准封装
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原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON(安森美)
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标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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ON/安森美
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720
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