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NSR0320XV6T1_V01

Schottky Barrier Diode

These Schottky barrier diodes are designed for high current, handling capability, and low forward voltage performance. Features • Low Forward Voltage − 0.35 V (Typ) @ IF = 10 mAdc • High Current Capability • These are Pb−Free Devices

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-9-26 13:50:00
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    联系人:刘冬英 电话:0755-83203002 手机:18138231376、18806643356 QQ号:1546282226、微信号:18138231376 公司名称:深圳市光华微科技有限公司 公司地址:深圳市福田区振兴路华匀大厦1栋712室

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