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NSM80101MT1G

NPN Transistor with Dual Series Switching Diode

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ONSEMI

安森美半导体

NSM80101MT1G

封装/外壳:SC-74,SOT-457 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:TRANS NPN 80V 0.5A SC74 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

ONSEMI

安森美半导体

NSM80101MT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NSM80101MT1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN TRANS & SWCH DIODE

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-12-16 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
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