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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NSBA123JF3T5G | Digital Transistors (BRT) 文件：117.91 Kbytes Page：6 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NSBA123JF3T5G | Digital Transistors (BRT) 文件：183.34 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NSBA123JF3T5G | PNP Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：111.42 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NSBA123JF3T5G | Digital Transistors (BRT) R1 = 2.2 k, R2 = 47 k 文件：131.88 Kbytes Page：10 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NSBA123JF3T5G | 封装/外壳：SOT-1123 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network 文件：110.66 Kbytes Page：12 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NSBA123JF3T5G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NSBA123JF3T5G
- 功能描述
开关晶体管 - 偏压电阻器 SOT-1123 PBRT TRANSISTOR
- RoHS
否
- 制造商
ON Semiconductor
- 晶体管极性
NPN/PNP
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
200 mA
- 最大工作频率
集电极—发射极最大电压
- VCEO
50 V
- 集电极连续电流
150 mA
- 功率耗散
200 mW
- 封装
Reel
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONS |
23+ |
NSBA124EDXV6 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
onsemi |
25+ |
SOT-1123 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-1123-3 |
36000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
12820 |
只做原装,质量保证 |
|||
ON/安森美 |
22+ |
N/A |
48000 |
现货,原厂原装假一罚十! |
|||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-1123 |
6547 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON(安森美) |
2447 |
SOT-563 |
115000 |
4000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
|||
ON |
25+ |
SOT-1123PBF |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
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NSI1050,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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