| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 4805 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features VDS = -30V,ID = - 8.0A RDS(ON)typ 17mΩ @ VGS= -10V | TUOFENG 拓锋半导体 | |||
Graphite Brush 文件:1.63144 Mbytes Page:1 Pages | ASSUN | |||
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Metal Film Resistors Metal Film Resistors 文件:425.84 Kbytes Page:3 Pages | TTELEC |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司 联系人:彭先生 QQ:2851196982 直线:0755-82991809 手机:13787628849 邮箱:pc@szruizhixin.com 地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2 型号: NP16N06QLK-E1-AY 类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Renesas Electronics America Inc 封装:8-PowerL
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2021-9-3NOSE687M002R0060 深圳市得捷芯城电子科技 AVX KEMET 尼康 三洋 钽电容代理商
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