| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NKE60008 | Standard Recovery Diodes 文件：685.02 Kbytes Page：5 Pages | NELLSEMI 尼尔半导体 |   | |
8 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die Description Wolfspeed’s CGH60008D is a gallium nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT). GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. GaN HEMTs | WOLFSPEED | | ||
MANVAL RIBBON CA. TERMR 文件：164.5 Kbytes Page：4 Pages | MOLEX11 莫仕 | | ||
8 W, 6.0 GHz, GaN HEMT Die 文件：528.52 Kbytes Page：8 Pages | Cree 科锐 | | ||
SI-60008 文件：226 Kbytes Page：3 Pages | bel | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NK/南科功率 |
2025+ |
DFN2X2-6L |
986966 |
国产 |
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ST |
25+ |
原厂原封 |
16900 |
原装，请咨询 |
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NELL |
23+ |
MODULE |
30000 |
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ST |
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原厂原封 |
16900 |
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NPSEMI |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂授权一级代理 IGBT模块 可控硅 晶闸管 熔断器质保 |
NKE60008规格书下载地址
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