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LOW-NOISE DUAL PRE-AMPLIFIER

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NJRC

日本无线

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UHF power LDMOS transistor

DESCRIPTION Silicon N-channel enhancement mode lateral D-MOS transistor encapsulated in a 2-lead flangeless package (SOT538A) with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting base. FEATURES • High power gain • Easy power control • Excellent ruggedness • Source on mounting b

PHILIPS

飞利浦

更新时间:2026-3-16 13:15:01
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