| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NJ2301 | 丝印代码:A1SHB;SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS Features TrenchFET Power MOSFET | DGNJDZ 南晶电子 | ||
NJ2301 | 贴片MOS | DGNJDZ 南晶电子 | ||
包装:散装 描述:TERM BLK 23P SIDE ENTRY 5MM PCB 连接器,互连器件 线对板 | ETC 知名厂家 | ETC | ||
Vibrating level switch The device Type 8110 is a filling level switch for liquids, using a tuning fork as the sensor element. It is designed for industrial use in all areas of process technology and can be used in liquids. Typical applications are overflow or run-dry protection. The small tuning fork (40 mm in lengt | BURKERT 宝帝流体控制系统 | |||
1.5 Watt - 20 Volts, Class C Microwave 2300 MHz GENERAL DESCRIPTION The 2301 is a COMMON BASE transistor capable of providing 1.5 Watts Class C, RF output power at 2300 MHz. Gold metalization and diffused ballasting are used to provide high reliability and supreme ruggedness. The transistor uses a fully hermetic High Temperature Solder Sealed | GHZTECH | |||
SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS 文件:5.03147 Mbytes Page:5 Pages | DGNJDZ 南晶电子 | |||
-2.8A竊?20V P-CHANNEL MOSFET 文件:111.41 Kbytes Page:4 Pages | KIA 可易亚半导体 | |||
10V P-Channel Enhanced MOS FET 文件:171.02 Kbytes Page:3 Pages | FUMAN 富满微 |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
24+ |
SSOP24 |
557 |
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AVXCOM/DOCS/CATALOGS/NI-NJPDF |
23+ |
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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AVX |
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SMD |
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原装ON |
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2022-12-7Nippon Chemi-Con黑金刚HHXC350ARA271MJA0G代理渠道18138231376
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2020-9-26NJC-165-RM原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机:17727572380 。 电 话:0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号:15096137729
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2019-12-25NIS5101-智能热插拔IC/浪涌限制器/断路器
在SMART热插拔集成电路相结合的控制到单个IC的功能和节省设计时间和功率FET减少了一个完整的热插拔所需的元件数量应用程序。它被设计为允许安全地插入和去除- 48V背板的电子设备。该芯片的功能结合的综合解决方案,使用简便,。智能热插拔包括用户可选择的欠压和过压闭锁水平。它还具有调节电流限制,可以减少从用单个电阻的最高水平。最大电流水平的操作不需要额外的外部组件。内部温度关断电路,大大增加此设备的可靠性。 特点 •集成的电源设备 •100 V操作 •热限制保护 •可调电流限
2013-1-3NIS3001-集成驱动器和MOSFET的同步降压控制器的电源芯片
NIS3001是一个集成的高功率多芯片解决方案DC到DC同步降压转换器。它包含两间电力是由内部驱动器控制的MOSFET。所有这三种芯片在电源QFN包PInPAKE包装。的10.510.5毫米PInPAK]包增加功率密度,并简化PCB布局。该设备可用于单相或多相应用。NIS3001实现最新的MOSFET技术。 控制MOSFET的设计提供更好的开关相比,性能和低得多的温度经营分立式解决方案。同步MOSFET设计,以减少在高频率的传导和开关损失。集成解决方案大大降低了寄生电感与传统的分立式降压转换器和结果中的最高功率转换效率。优化的基础上MOSFET的功率密度的NIS3001芯片尺寸和PInPAK设
2012-11-12
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