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NJ1价格
参考价格：￥972.1967
型号：NJ15+U1+W 品牌：P+F 备注：这里有NJ1多少钱，2024年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NJ1批发/采购报价，NJ1行情走势销售排行榜，NJ1报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
Single Line TVS Diode for ESD Features lowCapacitance30pF LowClampingVoltage SmallBodyOutlineDimensions:0.6mmx0.3mm LowBodyHeight:0.28mm Stand-offVoltage:12V LowLeakage ResponseTimeisTypically | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 |  |   | |
12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES 0.88 *VDS=700V *ID=12A *RDS(ON)=Ω@VGS=10V. *Lowgatecharge(typical44nC) *LowCrss(typical18pF) *Fastswitching *100avalanchetested *Improveddv/dtcapability | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | | | |
12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES 0.88 *VDS=700V *ID=12A *RDS(ON)=Ω@VGS=10V. *Lowgatecharge(typical44nC) *LowCrss(typical18pF) *Fastswitching *100avalanchetested *Improveddv/dtcapability | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | | | |
12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES 0.88 *VDS=700V *ID=12A *RDS(ON)=Ω@VGS=10V. *Lowgatecharge(typical44nC) *LowCrss(typical18pF) *Fastswitching *100avalanchetested *Improveddv/dtcapability | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | | | |
12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES 0.88 *VDS=700V *ID=12A *RDS(ON)=Ω@VGS=10V. *Lowgatecharge(typical44nC) *LowCrss(typical18pF) *Fastswitching *100avalanchetested *Improveddv/dtcapability | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | | | |
SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ·powerswitchingapplications | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | | | |
TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistor FEATURES PowerSwitchingApplications | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | | | |
Silicon Junction Field-Effect Transistor NJ132Process SiliconJunctionField-EffectTransistor •HighSpeedSwitch •Low-NoiseAmplifier | InterFET InterFET Corporation |  | | |
Silicon Junction Field-Effect Transistor Low-Noise Amplifier NJ132LProcess SiliconJunctionField-EffectTransistor •Low-NoiseAmplifier | InterFET InterFET Corporation | | | |
Silicon Junction Field-Effect Transistor NJ14ALProcess SiliconJunctionField-EffectTransistor •Low-Noise,HighGainAmplifier •RfAMPto1.0Ghz | InterFET InterFET Corporation | | | |
EDGECARD CONNECTOR, NJ SERIES EDGECARDCONNECTOR,NJSERIES(SOLDERTAIL)CONTINUOUSCARDCOLLECTOR | WinchesterWinchester Electronics 温彻斯特温彻斯特电子 |  | | |
EDGECARD CONNECTOR, NJ SERIES EDGECARDCONNECTOR,NJSERIES(SOLDERTAIL)CONTINUOUSCARDCOLLECTOR | WinchesterWinchester Electronics 温彻斯特温彻斯特电子 | | | |
Silicon Junction Field-Effect Transistor NJ16Process SiliconJunctionField-EffectTransistor •LowCurrentSwitch •GeneralPurposeAmplifier •HighBreakdownVoltage | InterFET InterFET Corporation | | | |
Silicon Junction Field-Effect Transistor NJ1800DProcess SiliconJunctionField-EffectTransistor •UltraLow-NoisePre-Amplifier | InterFET InterFET Corporation | | | |
Silicon Junction Field-Effect Transistor NJ1800DLProcess SiliconJunctionField-EffectTransistor •Low-Current •LowGateLeakageCurrent •HighInputImpedance •Low-Noise | InterFET InterFET Corporation | | | |
封装/外壳：圆柱形，有螺纹 - M8 包装：盒 描述：INDUCTIVE SEN 1.5MM PNP 传感器，变送器 接近传感器 - 工业 | Pepperl+Fuchs, Inc. Pepperl+Fuchs, Inc. |  | | |
封装/外壳：圆柱形，有螺纹 - M8 包装：盒 描述：INDUCTIVE SEN 1.5MM PNP 传感器，变送器 接近传感器 - 工业 | Pepperl+Fuchs, Inc. Pepperl+Fuchs, Inc. | | | |
Inductive sensor 文件：271.4 Kbytes Page：2 Pages | PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福（北京）过程自动化倍加福（北京）过程自动化控制设备有限公司 |  | | |
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Inductive sensor 文件：197.84 Kbytes Page：2 Pages | PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福（北京）过程自动化倍加福（北京）过程自动化控制设备有限公司 | | | |
Inductive sensor 文件：180.33 Kbytes Page：2 Pages | PFBeijiafu (Beijing) Process Automation Control Equipment Co., Ltd 倍加福（北京）过程自动化倍加福（北京）过程自动化控制设备有限公司 | | | |
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NJ1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NJ1
- 制造商
PEPPERL+FUCHS
- 功能描述
Plain barrel proximity switch,6.5mm PNP
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
HCTL(华灿天禄) |
21+ |
插件,P=2.54mm |
4750 |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
|||
KOA-可尔 |
24+25+/26+27+ |
SMD-贴片 |
18800 |
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
|||
VISHAY |
2021+ |
TO92 |
6430 |
原装现货/欢迎来电咨询 |
|||
Pepperl + Fuchs |
7201+ |
con |
12 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
|||
23+ |
N/A |
88000 |
一级代理放心采购 |
||||
23+ |
N/A |
88000 |
一级代理放心采购 |
||||
Pepperl + Fuchs |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
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- NJ26A
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- NJ10N65
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- NIV1241
- NIV1161
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- NITD6
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- NITD4
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- NITD-32A
- NITD32
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NJG1684ME2-TE1
全新原装现货支持第三方机构验证
2022-12-7Nippon Chemi-Con黑金刚HHXC350ARA271MJA0G代理渠道18138231376
NipponChemi-Con黑金刚HHXC350ARA271MJA0G代理渠道
2020-9-26NJC-165-RM原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380。电话：0755-83226739QQ:626839837。微信号：15096137729
2019-12-25NJC-20系列NJC-207-RM原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司手机：17727572380。电话：0755-83226739QQ:626839837。微信号：15096137729
2019-12-25NIS5101-智能热插拔IC/浪涌限制器/断路器
在SMART热插拔集成电路相结合的控制到单个IC的功能和节省设计时间和功率FET减少了一个完整的热插拔所需的元件数量应用程序。它被设计为允许安全地插入和去除-48V背板的电子设备。该芯片的功能结合的综合解决方案，使用简便，。智能热插拔包括用户可选择的欠压和过压闭锁水平。它还具有调节电流限制，可以减少从用单个电阻的最高水平。最大电流水平的操作不需要额外的外部组件。内部温度关断电路，大大增加此设备的可靠性。特点•集成的电源设备•100V操作•热限制保护•可调电流限
2013-1-3NIS3001-集成驱动器和MOSFET的同步降压控制器的电源芯片
NIS3001是一个集成的高功率多芯片解决方案DC到DC同步降压转换器。它包含两间电力是由内部驱动器控制的MOSFET。所有这三种芯片在电源QFN包PInPAKE包装。的10.510.5毫米PInPAK]包增加功率密度，并简化PCB布局。该设备可用于单相或多相应用。NIS3001实现最新的MOSFET技术。控制MOSFET的设计提供更好的开关相比，性能和低得多的温度经营分立式解决方案。同步MOSFET设计，以减少在高频率的传导和开关损失。集成解决方案大大降低了寄生电感与传统的分立式降压转换器和结果中的最高功率转换效率。优化的基础上MOSFET的功率密度的NIS3001芯片尺寸和PInPAK设
2012-11-12
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