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NIS5112D1R2G价格
参考价格：￥8.4757
型号：NIS5112D1R2G 品牌：ONSemi 备注：这里有NIS5112D1R2G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NIS5112D1R2G批发/采购报价，NIS5112D1R2G行情走势销售排行榜，NIS5112D1R2G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NIS5112D1R2G | Electronic Fuse Features • Integrated Power Device • Power Device Thermally Protected • No External Current Shunt Required • Enable/Timer Pin • Adjustable Slew Rate for Output Voltage • 9 V to 18 V Input Range • 30 m Typical • Internal Charge Pump • ESD Ratings: Human Body Model (HBM); 4000 V • These a | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NIS5112D1R2G | Electronic Fuse 文件：96.2 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NIS5112D1R2G | Electronic Fuse 文件：96.31 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NIS5112D1R2G | Electronic Fuse 文件：415.97 Kbytes Page：9 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NIS5112D1R2G | 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 功能：电子保险丝 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC 集成电路（IC） 电流调节/管理 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Electronic Fuse Features • Integrated Power Device • Power Device Thermally Protected • No External Current Shunt Required • Enable/Timer Pin • Adjustable Slew Rate for Output Voltage • 9 V to 18 V Input Range • 30 m Typical • Internal Charge Pump • ESD Ratings: Human Body Model (HBM); 4000 V • These a | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 功能：电子保险丝 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC ELECTRONIC FUSE HOTSWAP 8SOIC 集成电路（IC） 电流调节/管理 | ONSEMI 安森美半导体 | |
NIS5112D1R2G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NIS5112D1R2G
- 功能描述
热插拔功率分布 Electronic Fuse
- RoHS
否
- 制造商
Texas Instruments
- 产品
Controllers & Switches
- 电源电压-最大
7 V
- 电源电压-最小
- 0.3 V
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
MSOP-8
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
24 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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ON |
2016+ |
SOP8 |
5000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
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ON Semiconductor |
2023+ |
8-SOIC |
2245 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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ON |
24+ |
SOP8 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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ON |
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SOP8 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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24+/25+ |
11046 |
原装正品现货库存价优 |
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ONSEMI/安森美 |
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SOP8 |
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ONSEMI/安森美全新特价NIS5112D1R2G即刻询购立享优惠#长期有货 |
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ON Sem |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
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onsemi(安森美) |
2021+ |
SOIC-8 |
509 |
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ON |
25+ |
SOP-8 |
50000 |
原厂原装,价格优势 |
NIS5112D1R2G规格书下载地址
NIS5112D1R2G参数引脚图相关
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2020-9-26NJC-165-RM原装现货
深圳市大唐盛世半导体有限公司 手 机：17727572380 。 电 话：0755-83226739 Q Q:626839837。 微信号：15096137729
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2019-12-25NIS5101-智能热插拔IC/浪涌限制器/断路器
在SMART热插拔集成电路相结合的控制到单个IC的功能和节省设计时间和功率FET减少了一个完整的热插拔所需的元件数量应用程序。它被设计为允许安全地插入和去除- 48V背板的电子设备。该芯片的功能结合的综合解决方案，使用简便，。智能热插拔包括用户可选择的欠压和过压闭锁水平。它还具有调节电流限制，可以减少从用单个电阻的最高水平。最大电流水平的操作不需要额外的外部组件。内部温度关断电路，大大增加此设备的可靠性。 特点 •集成的电源设备 •100 V操作 •热限制保护 •可调电流限
2013-1-3NIS3001-集成驱动器和MOSFET的同步降压控制器的电源芯片
NIS3001是一个集成的高功率多芯片解决方案DC到DC同步降压转换器。它包含两间电力是由内部驱动器控制的MOSFET。所有这三种芯片在电源QFN包PInPAKE包装。的10.510.5毫米PInPAK]包增加功率密度，并简化PCB布局。该设备可用于单相或多相应用。NIS3001实现最新的MOSFET技术。 控制MOSFET的设计提供更好的开关相比，性能和低得多的温度经营分立式解决方案。同步MOSFET设计，以减少在高频率的传导和开关损失。集成解决方案大大降低了寄生电感与传统的分立式降压转换器和结果中的最高功率转换效率。优化的基础上MOSFET的功率密度的NIS3001芯片尺寸和PInPAK设
2012-11-12
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