NIF9N05CLT3G价格

参考价格:¥3.0561

型号:NIF9N05CLT3G 品牌:ON 备注:这里有NIF9N05CLT3G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NIF9N05CLT3G批发/采购报价,NIF9N05CLT3G行情走势销售排行榜,NIF9N05CLT3G报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NIF9N05CLT3G

Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection in a SOT−223 Package

Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp • Scalable to Lower or Higher RDS(on) • Internal Series Gate Resistance • Pb−Free P

ONSEMI

安森美半导体

NIF9N05CLT3G

Protected Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

Protected Power MOSFET 2.6 A, 52 V, N−Channel, Logic Level, Clamped MOSFET w/ ESD Protection in a SOT−223 Package

Benefits • High Energy Capability for Inductive Loads • Low Switching Noise Generation Features • Diode Clamp Between Gate and Source • ESD Protection − HBM 5000 V • Active Over−Voltage Gate to Drain Clamp • Scalable to Lower or Higher RDS(on) • Internal Series Gate Resistance • Pb−Free P

ONSEMI

安森美半导体

PROTECTED POWER MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

Protected Power MOSFET

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ONSEMI

安森美半导体

NIF9N05CLT3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NIF9N05CLT3G

  • 功能描述

    MOSFET 52V 2.6A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-1 9:34:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NIKOS
16+
SOT-252
825
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON Semiconductor
22+
TO2614 TO261AA
9000
原厂渠道,现货配单
VBsemi(微碧)
20+
SOT-223-3
2500
2N7002
23+
666
28000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
NIK
23+
65480
NIKO
08+
TO-252
5000
普通
NIKO
2025+
TO-223
4835
全新原厂原装产品、公司现货销售
ON(安森美)
24+
标准封装
8000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
24+
N/A
67000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
ON
24+
SOT-223-4 / TO-261-4D
25000
ON全系列可订货

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