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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NIF5002NT1 | Self-Protected FET with Temperature and Current Limit Self−Protected FET with Temperature and Current Limit 42 V, 2.0 A, Single N−Channel, SOT−223 HDPlus™ devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize ON Semiconductors latest MOSFET technology process to achieve the lowest possible on−resistance per silicon area while incorporating | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NIF5002NT1 | Self?뭁rotected FET with Temperature and Current Limit 文件：74.42 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NIF5002NT1 | 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：卷带（TR）剪切带（CT） 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
NIF5002NT1 | Self−Protected FET with Temperature and Current Limit | ONSEMI 安森美半导体 | | |
封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA 包装：管件 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 SOT223 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
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Self?뭁rotected FET with Temperature and Current Limit 文件：74.42 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
NIF5002NT1产品属性
- 类型
描述
- 型号
NIF5002NT1
- 功能描述
MOSFET 42V 2A N-Channel
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+/25+ |
15033 |
原装正品现货库存价优 |
||||
ONS |
23+ |
NIF5002NT1 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
ON |
25+ |
SOT223 |
4500 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
|||
ON |
NEW |
SOT223 |
35890 |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
标准封装 |
13648 |
全新原装正品/价格优惠/质量保障 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
SOT223 |
18000 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
SOT-223 |
28000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
ON |
6000 |
面议 |
19 |
SOT–223 |
|||
ON |
SOT223 |
7000 |
原装长期供货! |
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