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NID6002NT4G价格
参考价格：￥3.4927
型号：NID6002NT4G 品牌：ONSemi 备注：这里有NID6002NT4G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NID6002NT4G批发/采购报价，NID6002NT4G行情走势销售排行榜，NID6002NT4G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NID6002NT4G | Self?뭁rotected FET with Temperature and Current Limit Self−Protected FET with Temperature and Current Limit 65 V, 6.5 A, Single N−Channel, DPAK HDPlus™ devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize ON Semiconductor’s latest MOSFET technology process to achieve the lowest possible on−resistance per silicon area while incorporating sm | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NID6002NT4G | 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Self?뭁rotected FET with Temperature and Current Limit Self−Protected FET with Temperature and Current Limit 65 V, 6.5 A, Single N−Channel, DPAK HDPlus™ devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize ON Semiconductor’s latest MOSFET technology process to achieve the lowest possible on−resistance per silicon area while incorporating sm | ONSEMI 安森美半导体 | |
NID6002NT4G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NID6002NT4G
- 功能描述
MOSFET NFET 60V HD+
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
|||
ON |
24+ |
TO252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
|||
ON/安森美 |
20+ |
na |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
ON |
18+ |
TO-252 |
2500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
ON/安森美 |
2223+ |
NA |
26800 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险 |
|||
NK/南科功率 |
2025+ |
TO-252 |
986966 |
国产 |
|||
ON |
2023+ |
TO-252 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
|||
ON |
24+ |
DPAK4LEADSingleG |
8866 |
||||
ON(安森美) |
2021/2022+ |
标准封装 |
8000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON(安森美) |
2511 |
标准封装 |
8000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
NID6002NT4G规格书下载地址
NID6002NT4G参数引脚图相关
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