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NGTB25N120FL3WG_V01

IGBT - Ultra Field Stop

This Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features a robust and cost effective Ultra Field Stop Trench construction, and provides superior performance in demanding switching applications, offering both low on−state voltage and minimal switching loss. The IGBT is well suited for UPS and sol

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-14 20:18:00
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