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位置：首页 > IC中文资料第4705页 > NGTB15N60

NGTB15N60价格

参考价格：￥3.9293

型号：NGTB15N60EG 品牌：ON 备注：这里有NGTB15N60多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，NGTB15N60批发/采购报价，NGTB15N60行情走势销售排行榜，NGTB15N60报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
NGTB15N60EG

IGBT - Short-Circuit Rated

文件：177.94 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGTB15N60EG

IGBT - Short-Circuit Rated

文件：139.04 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGTB15N60EG

IGBT，非穿通 (NPT)，15 A，600 V

ONSEMI

安森美半导体

NGTB15N60EG_15

IGBT - Short-Circuit Rated

文件：139.04 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGTB15N60R2FG

封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 24A TO220F-3FS 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

NGTB15N60R2FG

IGBT，600V，14A，N 沟道

ONSEMI

安森美半导体

NGTB15N60R2FG

IGBT 600V, 14A, N-Channel

文件：737.12 Kbytes Page：7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGTB15N60S1

IGBT，带二极管 600V 15A NPT

ONSEMI

安森美半导体

NGTB15N60S1EG

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 30A 117W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

ONSEMI

安森美半导体

NGTB15N60S1EG

IGBT - Short-Circuit Rated

文件：179.23 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGTB15N60S1EG

IGBT - Short-Circuit Rated

文件：140.5 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NGTB15N60S1EG_15

IGBT - Short-Circuit Rated

文件：140.5 Kbytes Page：10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

15N60

15 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION The UTC15N60 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pu

UTC

友顺

15N60

15A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：185.37 Kbytes Page：6 Pages

UTC

友顺

15N60

High Switching Speed

文件：49.33 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

15N60

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：1.0671 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

15N60CFD

CoolMOS Power Transistor

文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages

Infineon

英飞凌

NGTB15N60产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NGTB15N60

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 15A 600V IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

NGTB15N60供应商更多...

更新时间：2026-1-4 9:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市华来深电子有限公司
NGTB15N60EG
ON
23+
TO-220
11846
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深圳市宇创芯科技有限公司
NGTB15N60R2FG
ON(安森美)
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N/A
18000
原装正品现货支持实单
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深圳市晨豪科技有限公司
NGTB15N60EG
ON/安森美
23+
TO-220
89630
当天发货全新原装现货
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深圳市高捷芯城科技有限公司
NGTB15N60EG
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25+
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11580
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
NGTB15N60EG
ON
25+
TO-TO-220-3
35400
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深圳市亿智腾科技有限公司
NGTB15N60EG
ON/安森美
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深圳市科恒伟业电子有限公司
NGTB15N60R2FG
ON/安森美
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TO-220F
9850
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深圳市纳立科技有限公司
NGTB15N60EG
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1983
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
NGTB15N60R2FG
ON/安森美
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TO-220
123750
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深圳市赛特兴科技有限公司
NGTB15N60R2FG
ON
23+
TO-220F-3FS
10
正规渠道,只有原装!
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