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IGBT 600V, 4.5A, N-Channel

Features  Reverse Conducting II IGBT  IGBT VCE(sat)=1.7V (typ) [IC=3A, VGE=15V]  IGBT tf=75ns (typ) Diode VF=1.5V (typ) [IF=3A] Diode trr=65ns (typ) 5s Short Circuit Capability Applications  General Purpose Inverter

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2026-2-16 10:07:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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