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isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 55A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 10mΩ(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC

ISC

无锡固电

Single N-channel Trench MOSFET 60V, 50A, 10m(ohm)

文件:958.41 Kbytes Page:6 Pages

MGCHIP

Single N-channel Trench MOSFET 60V, 50A, 10m(ohm)

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MGCHIP

更新时间:2026-3-16 10:20:01
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