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Silicon NPN RF Power Transistor 50W @ 30MHz

Description: The NTE325 is a silicon NPN RF power transistor in a T72H type package designed for power amplifier applications in industrial, commercial, and amateur radio equipment to 30MHz. Features: ● Specified 12.5V, 30MHz Characteristics: Output Power = 50W Minimum Gain = 11dB Efficiency =

NTE

Rectifier diodes Schottky barrier

GENERAL DESCRIPTION Dual schottky rectifier diodes intended for use as output rectifiers in low voltage, high frequency switched mode power supplies. The PBYR325CTD series is supplied in the SOT428 surface mounting package. FEATURES • Low forward volt drop • Fast switching • Reverse surge ca

PHILIPS

飞利浦

Dual Voltage Regulator

文件:222.23 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

Dual Voltage Regulator

文件:222.23 Kbytes Page:8 Pages

NSC

国半

BROADBAND RF POWER TRANSISTOR NPN SILICON

文件:95.63 Kbytes Page:6 Pages

MOTOROLA

摩托罗拉

更新时间:2026-3-18 16:25:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NTE
24+
50
现货供应
NTE
23+
39356
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
NTE
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
NTE
0630
4
优势货源原装正品
NTE
1923+
原厂封装
8600
莱克讯原厂货源每一片都来自原厂原装现货薄利多
NTE
25+
15000
原装现货,特价销售
24+
N/A
60000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
NTE
16+
NA
8800
原装现货,货真价优
2022+
7
全新原装 货期两周

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    描述 NE57811目的是提供一个终止的权力双数据速率(DDR)SDRAM内存总线。它显着减少元件数量,电路板空间和整体系统成本比以前的解决方案。NE57811 DDR终端稳压器维持输出RAM的电压(DDR参考总线电压)的一半,电源电压。它是能够提供高达± 3.5一个持续时期。过流限制保护从浪涌NE57811启动电流和过热关断保护在极端温度情况下的设备。SPAK - 5(SOT756)包热强大的灵活性散热设计。由于NE57811是一个线性稳压器,没有外部电感器或开关场效应管是必要的。响应速度快负载的变化,降低输出电容器的需求。 特点

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