NE3509M04-T2-A价格

参考价格:¥4.0238

型号:NE3509M04-T2-A 品牌:CEL 备注:这里有NE3509M04-T2-A多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NE3509M04-T2-A批发/采购报价,NE3509M04-T2-A行情走势销售排行榜,NE3509M04-T2-A报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NE3509M04-T2-A

LtoSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

文件:1.27717 Mbytes Page:11 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL
NE3509M04-T2-A

封装/外壳:SOT-343F 包装:托盘 描述:FET RF 4V 2GHZ SOT-343 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

LtoSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

文件:1.27717 Mbytes Page:11 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

LTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

文件:284.01 Kbytes Page:9 Pages

CEL

California Eastern Laboratories

CEL

LTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

文件:217.69 Kbytes Page:12 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

LTOSBANDLOWNOISEAMPLIFIERN-CHANNELHJ-FET

文件:217.69 Kbytes Page:12 Pages

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

NE3509M04-T2-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NE3509M04-T2-A

  • 功能描述

    射频GaAs晶体管 L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET

  • RoHS

  • 制造商

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型

    pHEMT

  • 频率

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益

    10 dB

  • 噪声系数

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值)

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压

    - 8 V

  • 漏极连续电流

    3 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 功率耗散

    10 W

更新时间:2024-5-1 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
23+
标准封装
12212
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS/瑞萨
23+
NA/
211845
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
NEC/RENESAS
2020+
SOT-343
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
RENESAS
20+
SOT343
65300
一级代理/放心购买!
RENESAS
SOT-343
997677
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
NEC
22+23+
SOT-343
48051
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货
RENESAS
589220
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-343
211845
郑重承诺只做原装进口现货
NEC
21+
SOT-343
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
RENESAS/瑞萨
23+
SOT-343
10000
原包原标签100%进口原装常备现货!长期排单到货

NE3509M04-T2-A芯片相关品牌

  • ADAM-TECH
  • ECS
  • EDAC
  • grayhill
  • Intel
  • KODENSHI
  • MEDER
  • MPD
  • OSCILENT
  • RENCO
  • SEI
  • TAI-SAW

NE3509M04-T2-A数据表相关新闻