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NE34018-T2

L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET

DESCRIPTION NE34018 is a n-channel HJ-FET housed in MOLD package. FEATURES • Low noise figure NF = 0.6 dB TYP. at f = 2 GHz • High associated gain Ga = 16 dB TYP. at f = 2 GHz • Gate width: Wg = 400 μm • 4 pins super mini mold • Tape & reel packaging only available

NEC

瑞萨

NE34018-T2

HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FEATURES • Low noise figure: NF = 0.6 dB TYP. @ f = 2 GHz • High associated gain: Ga = 16 dB TYP. @ f = 2 GHz • Gate width: Wg = 400 mm • 4-pin super minimold package • Tape & reel packaging only available

RENESAS

瑞萨

更新时间:2025-8-18 10:55:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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