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型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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NCP5162 | General Purpose Transistors 文件:539.95 Kbytes Page:15 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | ||
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封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 功能:降压 包装:管件 描述:IC REG CTRLR BUCK 16SOIC 集成电路(IC) PMIC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器 | ONSEMI 安森美半导体 | |||
封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 功能:降压 包装:管件 描述:IC REG CTRLR BUCK 16SOIC 集成电路(IC) DC-DC 开关控制器 | ONSEMI 安森美半导体 | |||
Dual 256-Position SPI Digital Potentiometer GENERAL DESCRIPTION The AD5162 provides a compact 3 mm × 4.9 mm packaged solution for dual, 256-position adjustment applications. This device performs the same electronic adjustment function as a 3-terminal mechanical potentiometer. Available in four end-toend resistance values (2.5 kΩ, 10 kΩ, 50 | AD 亚德诺 | |||
Dual, 256-Position, SPI Digital Potentiometer GENERAL DESCRIPTION The AD5162 provides a compact 3 mm × 4.9 mm packaged solution for dual, 256-position adjustment applications. This device performs the same electronic adjustment function as a 3-terminal mechanical potentiometer. Available in four end-toend resistance values (2.5 kΩ, 10 kΩ, 50 | AD 亚德诺 | |||
High Power, 100 W Peak, Silicon SPDT, Reflective Switch, 0.4 GHz to 8 GHz FEATURES ► Frequency range: 0.4 GHz to 8 GHz ► Low insertion loss: 0.6 dB typical to 4 GHz ► High Isolation: 45 dB typical to 4 GHz ► High input linearity ► 0.1 dB power compression (P0.1dB): 50 dBm ► Third order intercept (IP3): >76 dBm ► High power handling at TCASE = 85°C: ► Insertion l | AD 亚德诺 | |||
High Power, 100 W Peak, Silicon SPDT, Reflective Switch, 0.4 GHz to 8 GHz FEATURES ► Frequency range: 0.4 GHz to 8 GHz ► Low insertion loss: 0.6 dB typical to 4 GHz ► High Isolation: 45 dB typical to 4 GHz ► High input linearity ► 0.1 dB power compression (P0.1dB): 50 dBm ► Third order intercept (IP3): >76 dBm ► High power handling at TCASE = 85°C: ► Insertion l | AD 亚德诺 | |||
18 (16/30) AWG Tinned Copper 文件:411.56 Kbytes Page:4 Pages | ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线 |
NCP5162产品属性
- 类型
描述
- 型号
NCP5162
- 功能描述
General Purpose Synchronous Buck Controller
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ON Semiconductor |
22+ |
16SOIC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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ON SEMICONDUCTOR |
24+ |
con |
35960 |
查现货到京北通宇商城 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOP16 |
24000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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ON/安森美 |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
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ONSemiconductor |
24+ |
16-SOIC |
66800 |
原厂授权一级代理,专注汽车、医疗、工业、新能源! |
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ON |
23+ |
QFN |
2 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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ON |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
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ON/安森美 |
23+ |
NA |
7563 |
原装正品实单必成 |
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三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO2523 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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NCP5106BDR2G
进口代理
2023-10-31NCP51560BBDWR2G
NCP51560BBDWR2G
2023-2-27NCP4641H080T1G稳压芯片
NCP4641H080T1G 稳压芯片
2019-11-19NCP5201-双输出DDR电源控制器
说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器(VTT)的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器(VDDQ的)。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出,并通知在出现故障时,用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的,的VTT稳压器 •内
2013-2-17NCP5203-2合1 DDR电源控制器
说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压(VDDQ的)。的?2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动,欠压监测5VDUAL,过电流保护(OCP的)和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点
2013-2-17NCP5331-两相PWM控制器,集成门极驱动器
NCP5331是第二代,两相降压控制器权力的64位AMD采用了先进的控制功能Athlon处理器和低电压,高电流电源。专有的多相架构,保证均衡的负载电流共享,降低了输出电压和输入电流纹波,减小滤波器的要求,电感值,并增加输出电流压摆率。结合传统的增强型V2已经与内部PWM斜坡电压反馈直接从VCORE内部的PWM比较器。这些功能和增强功能提供最快的瞬态响应,降低输出电压抖动,提供更大的设计灵活性和可移植性,并最大限度地降低整体解决方案的成本。高级功能包括可调电源良好延迟,可编程的过流关断定时器,优越的过压保护(OVP)和差分遥感。一个创新的过压保护(OVP)的计划,保障期间的CPU极端的情况下,包
2012-11-26
DdatasheetPDF页码索引
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