型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
NCP51313ADR2G

High Side Gate Driver

NCP51313 is a 130 V high side driver with 2.0 A source and 3.0 A sink drive capability for DC−DC power supplies and inverters. NCP51313 offers best in class propagation delay, low quiescent current and low switching current at high frequencies of operation. This device is tailored for highly e

ONSEMI

安森美半导体

High Side Gate Driver

NCV51313 is a 130 V high side driver with 2.0 A source and 3.0 A sink drive capability for DC−DC power supplies and inverters. NCV51313 offers best in class propagation delay, low quiescent current and low switching current at high frequencies of operation. This device is tailored for highly e

ONSEMI

安森美半导体

更新时间:2025-8-8 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
23+
标准封装
5000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
ON
23+
VQFN
20000
onsemi(安森美)
24+
DFN10(3x3)
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
ON/安森美
23+
DFN10
89630
当天发货全新原装现货
ONSEMI
22+
SMD
3000
ON/安森美
24+
NA/
246
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
ON/安森美
1516+
DFN10
1155
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ON
24+
SOIC-8
25000
ON全系列可订货
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ON Semi
22+
NA
30000
原装正品支持实单

NCP51313ADR2G数据表相关新闻

  • NCP5106BDR2G

    进口代理

    2023-10-31
  • NCP51560BBDWR2G

    NCP51560BBDWR2G

    2023-2-27
  • NCP45780IMN24RTWG 全新原装

    NCP45780IMN24RTWG

    2022-8-9
  • NCP4641H080T1G稳压芯片

    NCP4641H080T1G 稳压芯片

    2019-11-19
  • NCP5201-双输出DDR电源控制器

    说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为​​高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器(VTT)的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器(VDDQ的)。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出,并通知在出现故障时,用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的,的VTT稳压器 •内

    2013-2-17
  • NCP5203-2合1 DDR电源控制器

    说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压(VDDQ的)。的?2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动,欠压监测5VDUAL,过电流保护(OCP的)和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点 

    2013-2-17