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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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NCP51100ASNT1G | Single 2 A High-Speed, Low-Side Gate Driver 文件：2.22143 Mbytes Page：16 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
NCP51100ASNT1G | 封装/外壳：SC-74A，SOT-753 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：SINGLE 2 A HIGH-SPEED, LOW-SIDE 集成电路（IC） 栅极驱动器 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
Single-Channel, High-Speed, Low-side Gate Driver Features | « 4.510 18-V Single Supply Range « Outputs Held Low During VDD UVLO « TTL and CMOS Compatible Input-Logic Threshold » Input Design Output Held Low when Input Pins are Floating Fast Rise and Fall Times (9ns and 7ns typical) ~~ « Fast Propagation Delays (13ns typical) « Split Ou | TECHPUBLIC 台舟电子 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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NCP5106BDR2G
进口代理
2023-10-31NCP51560BBDWR2G
NCP51560BBDWR2G
2023-2-27NCP45780IMN24RTWG 全新原装
NCP45780IMN24RTWG
2022-8-9NCP4641H080T1G稳压芯片
NCP4641H080T1G 稳压芯片
2019-11-19NCP5203-2合1 DDR电源控制器
说明 在NCP5203 2合1 DDR电源控制器是一个完整的电源解决方案一符合ACPI高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器提供VDDQ效率提供的线性稳压器为简单的VTT终止电压。该NCP5203包含一个同步PWM降压控制器用于驱动两个外部NFETs形成的DDR内存供电电压（VDDQ的）。的？2.0用户可调的VTT终止调节器具有短路保护。一个内部电源同时监视功能良好的VDDQ和Vtt输出和信号如果发生故障。保护功能包括软启动，欠压监测5VDUAL，过电流保护（OCP的）和热关机。该集成电路的封装18引脚QFN封装。 特点
2013-2-17NCP5201-双输出DDR电源控制器
说明 在NCP5201双DDR电源控制器是专门作为一个整体功率解决方案专为高电流DDR内存系统。该IC结合了PWM控制器的效率VDDQ电压的线性稳压器为简单的VTT存储器终端电压。二次调节器（VTT）的是设计为自动跟踪一半的初级稳压器（VDDQ的）。内部电源良好电压监控器同时跟踪VDDQ和VTT的输出，并通知在出现故障时，用户其中一项输出。保护功能包括软启动电路和欠压监测VCC和VSTBY。该集成电路的封装5× 6的QFN- 18。 特点 •搭载VDDQ的，的VTT稳压器 •内
2013-2-17
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